金属膜电阻器参数_金属膜电阻器参数

金属膜电阻参数据金融行业消息，2024年5月8日消息，根据国家知识产权局公告，高通有限公司已获得授权公告号CN111183516B，名称为“集成化用直插式屏蔽栅”电路”，申请日期为2018年8月。根据专利摘要，公开了一种集成电路（IC）中的网格串联（MOL）屏蔽。是否可以在IC 的MOL 层中制作一个或多个金属电阻器来减少其他因素？

金属膜电阻和碳膜电阻的出现，证券明星消息，据企查查数据显示，星帅尔（002860）新获得实用新型专利授权，该专利名称为“一种双金属片阻值可变热保护装置”，专利申请号为CN202321669608.4，授权日为2023年12月29日。 专利摘要：本实用新型涉及一种双金属阻值可变热保护器，主要用于制冷压缩机或稍后介绍。

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金属膜电阻价格2023年12月5日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，高通有限公司申请了名为“Back-end of Line（BEOL）高电阻”的项目金属氧化物金属(MOM)电容器中的“HI-R)导体层”(BEOL)，公开号CN117178356A，申请日期为2022年3月。专利摘要显示，一种金属氧化物金属(MOM)电容器及其制造方法透露了妈妈呢？

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金属膜电阻可以代替水泥电阻吗？据财经界2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，台积电获得名为“半导体结构及形成存储器结构的方法”的项目。授权公告号CN111987118B，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，本发明涉及一种在金属化层之间或金属化层内形成低轮廓的电阻式随机存取存储器的方法。

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金属膜电阻可以代替碳膜电阻，通过在基板上设置第一金属穿孔结构，并对第一金属穿孔结构和基板进行相应的工艺，使得第一金属穿孔结构的顶面与基板接触。基材。顶面是平坦的，从而提高了金属互连层中电阻的均匀性。在搭建多层器件时，采用该制作方法得到的金属互连层可以保证其相邻层器件之间电连接的可靠性。本说完了。

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金属膜电阻型号对照表重掺杂金属化合物二维材料与沟道层侧面接触。在第一高K介质层上沉积重掺杂金属化合物二维材料，沉积厚度大于沟道层的厚度。本申请提供的晶体管的厚度可以降低沟道与接触金属之间的接触电阻，提高晶体管的性能。本文来自金融界

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金属膜电阻器和色环电阻器的区别三星电子有限公司申请了公开号为CN117597016A的名为“可变电阻存储器件以及包括该器件的电子设备”，申请日为2023年8月。专利摘要显示：提供了可变电阻存储器件和/或包括其的电子器件。该可变电阻存储器件包括：电阻变化层，其包括氧缺陷率大于或等于约9的金属氧化物；我在上面继续讲。

金属膜电阻批发金融行业讯2024年4月10日，根据国家知识产权局公告，铜陵有色金属集团有限公司申请的项目名称为“10KV-110KV变压器直流电阻测试装置”公开号CN117849408A，申请日为2024年1月。专利摘要显示，本发明公开了一种10KV-110KV变压器直流电阻测试装置，涉及变压器直流电阻测试。我们去取得它！

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金属膜电阻与碳膜电阻互换财经新闻2024年4月15日据国家知识产权局公告，台积电已获得题为《集成电路结构及形成方法》的授权公告CN113571514B，申请日期为2021年4月。专利摘要显示一种IC结构，包括电阻电路和晶体管。该电阻器电路包括位于半导体衬里上的第一金属电阻器条。

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金属膜电阻型号2024年4月8日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司获得授权公告号CN109426010B，名称为“光调制器件及包括该器件的电子设备” ，申请日期为2018年8月。专利摘要显示，提供了光调制装置以及包括该光调制装置的电子装置。光调制装置包括：金属层；一个可变电阻材料层，在金属层上面，等我继续。